简介
山东济南人，工学博士，硕士生导师。主要从事宽禁带半导体氮化物单晶材料研究，以及SEM、EDS和背散射电子衍射（EBSD）测试技术的研究工作，在宽禁带半导体氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）晶体生长和加工、材料结构和性能研究领域取得了一系列原创性成果。主持国家级项目1项、省部级项目2项，参与国家级项目2项、省级项目3项，2019年获山东省重点扶持区域引进急需紧缺人才项目支持，2021年获山东省高等学校青年创新人才引育计划支持。发表SCI论文90余篇，其中第一作者或通讯作者的SCI收录论文20篇，作为主要骨干成员在GaN单晶衬底技术实现产业化过程中起到重要作用。
联系方式：shaoyongliang@qlu.edu.cn
教育及工作经历
2004/9-2008/6，西北工业大学，理学院应用物理系，学士
2008/9-2013/12，山东大学，晶体材料研究所，博士
2015/9-2020/10，山东大学，晶体材料研究所，实验师
2020/11至今，齐鲁工业大学，材料科学与工程学院，副教授
主要研究领域
1. 氮化物半导体晶体的生长、加工及其结构和性能研究。
2. 氮化物半导体材料在能源领域应用。
3. 背散射电子衍射技术在单晶材料结构与性能分析的应用。
科研项目
1. 国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，利用EBSD技术研究异质外延GaN单晶的缺陷和应力，2017至2019，主持。
2. 山东省教育厅，山东省高等学校青创人才引育计划，宽禁带半导体材料研究创新团队，2022至2024，主持。
3.山东省重点扶持区域引进急需紧缺人才项目，2英寸GaN单晶HVPE生长研究及产业化项目，2019年度，主持。
4 国家自然科学基金委员会，面上项目，新型衬底上高质量GaN单晶的HVPE生长及自剥离研究，2016-01至2019-12，参与。
5. 国家自然科学基金委员会，重点项目，全固态可集成声子拓扑器件及其人工量子系统的耦合，2019至2023，参与。
6. 山东省科学技术厅，山东省科技攻关项目，蓝光LED用GaN单晶衬底材料研制，2010至2012，参与。
7. 山东省科学技术厅，山东省重大科技创新工程，4英寸氮化镓单晶衬底产业化技术研究，2019至2021，参与。
8. 山东省自然科学基金委员会，山东省自然科学基金重大基础研究项目，适用于分布式光伏系统的新型能源存储器件，2017至2019，参与。
发表论文
1. Huayao Tu, Dong Shi, Zhenyan Liang, Hehe Jiang, Zhen Kong, Kang Zhang, Yongliang Shao*, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, NiMnOx TiN CC electrode with a branch-leaf structure a novel approach to improve the performance of supercapacitors with high mass loading of amorphous metal oxides, Journal of Materials Chemistry A, 2021, 9, 21948–21957
2. Zhenyan Liang, Huayao Tu, Dong Shi, Fuzhou Chen, Hehe Jiang, Yongliang Shao*, Yongzhong Wu*, and Xiaopeng Hao, In Situ Growing BCN Nanotubes on Carbon Fibers for Novel High-Temperature Supercapacitor with Excellent Cycling Performance, Small, 2021, 2102899
3. Mingzhi Yang, Dong Shi, Xiucai Sun, Yanlu Li, Zhenyan Liang, Lei Zhang, Yongliang Shao*, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao, Shuttle confinement of lithium polysulfides in borocarbonitride nanotubes with enhanced performance for lithium–sulfur batteries, Journal of Materials Chemistry A, 2020, 8,296-304
4. Haixiao Hu, Baoguo Zhang, Lei Liu, Deqin Xu, Yongliang Shao*, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao, Growth of Freestanding Gallium Nitride (GaN) Through Polyporous Interlayer Formed Directly During Successive Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) Process, Crystals, 2020, 10, 141
5. Zizheng Ai, Bin Chang, Chengwei Xu, Baibiao Huang, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao, Yongliang Shao*, Interface engineering in the BNNS@Ti3C2 intercalation structure for enhanced electrocatalytic hydrogen evolution, New Journal of Chemistry,2019, 43, 8613-8619
6. Haixiao Hu, Bin Chang, Xiucai Sun, Qin Huo, Baoguo Zhang, Yanlu Li, Yongliang Shao*, Lei Zhang, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Intrinsic properties of macroscopically tuned gallium nitride single crystalline facets for electrocatalytic hydrogen evolution, Chemistry - A European Journal, 2019, 25, 10420-10426
7. Haixiao Hu, Baoguo Zhang, Yongzhong Wu, Yongliang Shao*, Lei Liu, Xiaopeng Hao*, High-Quality GaN Crystal Grown on Laser Decomposed GaN-Sapphire Substrate and Its Application in Photodetector, Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2020, 217, 2000380
8. Yuan Tian, Yongliang Shao*, Xiaopeng Hao, Yongzhong Wu, Lei Zhang, Yuanbin Dai, Qin Huo, Baoguo Zhang, Haixiao Hu, Preparation and optimization of freestanding GaN using low-temperature GaN layer, Frontiers of Materials Science, 2019, 13, 314-322
9. Baoguo Zhang, Yongzhong Wu, Lei Zhang, Qin Huo, Haixiao Hu, Fukun Ma,Mingzhi Yang, Dong Shi, Yongliang Shao*, Xiaopeng Hao*, Growth of high-quality GaN crystals on a BCN nanosheet-coated substrate by hydride vapor phase epitaxy, CrystEngComm, 2019, 21，1302-1308
10. Ruixian Yu, Baoguo Zhang, Lei Zhang, Yongzhong Wu, Haixiao Hu, Lei Liu, Yongliang Shao*, Xiaopeng Hao, Fabrication of Pyramid Structure Substrate Utilized for Epitaxial Growth Free-Standing GaN, Crystals, 2019, 9, 547
发明专利
1. 阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，ZL202110701742.7
2. 一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，ZL202110701740.8
3. 一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，ZL 201710601044.3
4. 一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法，ZL 201410114052.1
5. 利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法，ZL 201410024671.1