简介
工学博士，教授，博士生导师，泰山学者特聘专家，教育部2007年度“新世纪优秀人才”。从事半导体材料的制备、性能和器件研究，取得了一系列具有国际水平的研究成果。主持国家863、国家自然科学基金重点、面上、山东省重大等项目，以通讯或第一作者发表SCI论文142篇，被诺贝尔物理学奖获得者等他引5000余次，研究工作被Nature China和Nature Materials作为亮点进行评论。获授权发明专利30余项，其中GaN单晶生长及加工实现产业转化。获山东省自然科学奖二等奖、中国建材科技奖二等奖。
联系方式：xphao@qlu.edu.cn
教育及工作经历
1992.09-1996.06 山东轻工业学院，硅酸盐工程，学士
1996.09-1999.04 浙江大学，材料学，硕士
1999.09-2002.06 山东大学，材料学，博士
2002.07-2004.08 山东大学，晶体材料研究所，讲师
2004.09-2006.08 山东大学，晶体材料研究所，副教授
2006.04-2019.05 山东大学，晶体材料研究所，副所长
2006.09-2020.10 山东大学，晶体材料研究所，教授
2020.11至今 齐鲁工业大学，材料科学与工程学院，教授
2021.10至今 齐鲁工业大学（山东省科学院）8797威尼斯老品牌主任、材料科学与工程学院院长、新材料研究所所长
主要研究领域
（1） 宽禁带半导体晶体的生长、加工及器件研究；
（2） 新型能源材料的制备及应用研究。
科研项目
1. 低应力低位错密度4英寸GaN单晶的HVPE生长研究，2019.01-2022.12，国家自然科学基金，66万元，主持
2. 新型衬底上高质量GaN单晶的HVPE生长及自剥离研究，2016.01-2019.12，国家自然科学基金，76.8万元，主持
3. GaN体单晶生长基础研究，2009,01-2012,12，国家自然科学基金，140万元，主持
4. 适用于分布式光伏系统的新型能源存储器件，2017.08-2019.07，山东省自然科学基金重大基础类项目，90万元，主持
5. 蓝光LED用GaN单晶衬底材料研制，2010.1-2012.12，山东省科技攻关项目，50万元，主持
6. 宽禁带半导体氮化物（GaN、AlN）单晶衬底，济南市新高校20条项目，2022.01-2024.12，90万元，主持
7. 4英寸氮化镓单晶衬底产业化技术研究，2019.08-2021.08，山东省重点研发计划，1000万元，参与
发表论文
1. Weidong He，Zedong Lin，Kangning Zhao，Yanlu Li，Chao Meng，Jiantao Li，Sungsik Lee，Yongzhong Wu*，Xiaopeng Hao*, Interspace and Vacancy Modulation: Promoting the Zinc Storage of an Alcohol-Based Organic-Inorganic Cathode in a Water-Organic Electrolyte, Adv.Mater., 2022, 34, 2203920
2. Weidong He, Shouzhi Wang, Yongliang Shao, Zhen Kong, Huayao Tu, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao*, Water Invoking Interface Corrosion: An Energy Density Booster for Ni//Zn Battery, Adv. Energy Mater., 2021, 11, 2003268
3. Shouzhi Wang, Huaping Zhao, Songyang Lv, Hehe Jiang, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Yong Lei*, Insight into Nickel-Cobalt Oxysulfide Nanowires as Advanced Anode for Sodium-Ion Capacitors, Adv. Energy Mater., 2021, 11, 2100408
4. Xiaogang Yao, Guodong Wang, Huayao Tu, Shengfu Liu, Mingzhi Yang, Zhen Kong, Yongliang Shao, Yongzhong Wu*, Xiaopeng Hao*, Crystallographic orientation and strain distribution in AlN seeds grown on 6H-SiC substrates by the PVT method, CrystEngComm, 2021, 23, 4946-4953
5. Shouzhi Wang, Lili Li, Yongliang Shao, Lei Zhang, Yanlu Li*, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Transition‐Metal Oxynitride: A Facile Strategy for Improving Electrochemical Capacitor Storage, Adv.Mater., 2019, 1806088
6. Baoguo Zhang, Yongzhong Wu, Lei Zhang, Qin Huo, Haixiao Hu, Fukun Ma,Mingzhi Yang, Dong Shi, Yongliang Shao*, Xiaopeng Hao*, Growth of high-quality GaN crystals on a BCN nanosheet-coated substrate by hydride vapor phase epitaxy, CrystEngComm, 2019, 21，1302–1308
7. Shouzhi Wang, Lei Zhang, Changlong Sun, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Jiaxin Lv, Xiaopeng Hao*，Gallium Nitride Crystals: Novel Supercapacitor Electrode Materials，Adv. Mater.，2016, 28, 3768-3776
8. Lei Zhang, Xianlei Li, Yongliang Shao, Jiaoxian Yu, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, Zhengmao Yin, Yuanbin Dai, Yuan Tian, Qin Huo, Yinan Shen, Zhen Hua, and Baoguo Zhang, Improving the Quality of GaN Crystals by Using Graphene or Hexagonal Boron Nitride Nanosheets Substrate, ACS Appl. Mater. Interfaces 2015, 7, 4504−4510
9. Miao Du, Xianlei Li, Aizhu Wang, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao*, and Mingwen Zhao*, One-Step Exfoliation and Fluorination of Boron Nitride Nanosheets and a Study of Their Magnetic Properties, Angew. Chem. Int. Ed., 53, 3645 –3649, 2014
10. Xianlei Li, Xiaopeng Hao*, Mingwen Zhao*, Yongzhong Wu, Jiaxiang Yang, Yupeng Tian and Guodong Qian, Exfoliation of Hexagonal Boron Nitride by Molten Hydroxides, Adv. Mater. 2013, 25, 2200–2204
发明专利
1. 一种水热腐蚀多孔衬底生长自支撑氮化镓单晶的方法，ZL 201710601044.3
2. 阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，ZL202110701742.7
3. 一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，ZL202110701740.8
4. 一种使用图形化退火多孔结构进行GaN单晶生长的方法，ZL 201410114052.1
5. 利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法，ZL 201410024671.1
6. 一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，ZL 201410000379.6
7. 一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，ZL 201210015837.4
8. 在SiC衬底上直接生长自剥离GaN单晶的方法，ZL 201410113538.3
9. 锂离子超级电容器电极材料BCN纳米管的制备方法，ZL 201910016000.3
10. 一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法，ZL 201910015993.2